| 장비설명 |
○ 극한환경 (고온, 초저온, 다습) 조건에서 고전압·고전류로 동작하는 파워디바이스 반도체 소자의 전기적 특성 (IV, 누설전류, 항복전압, 온도 의존성 등)을 정밀 측정·분석하기 위한 교육·실습용 장비
○ SiC, GaN 등 차세대 전력반도체 소자 및 모듈을 피시험물로 하여 소자 구조와 구동 조건에 따른 거동 변화를 계측
○ 구동 한계, 신뢰성 지표, 열·전기 스트레스 하 특성 변화를 정량 데이터로 취득하고 소자 모델 파라미터를 도출 |
| 구성 및 성능 |
○ 전력 반도체 및 전자소자의 특성화에 최적화된 고출력 소스미터 장비.
- 전압·전류 공급 및 측정, 디지털 멀티미터(DMM), 펄스 발생기, 전자 부하 등 여러 기능을 통합한 다목적 기기이며 소스/싱크 모두 가능한 4사분면 모델로, 정밀한 전압·전류 제어와 측정이 가능함.
- 매우 높은 분해능 ADC 및 빠른 샘플링으로 정밀 테스트와 과도 특성 측정이 가능하여 반도체 소자 특성화, 전력 디바이스 테스트, 누설/브레이크다운 시험, GaN/SiC 소재 테스트, 연구개발 및 실험환경에서 고전력·고정밀 측정 등에 최적임.
항목
대전류 소스미터
고전압 소스미터
출력전압 범위
최대 ±40V
최대 ±3000V
출력전류 범위
최대 ±20A DC, ±50A (펄스)
최대 ±120mA
최대전력
200W DC, 2000W(펄스)
180W DC
측정 분해능
6½ digits
6½ digits
표시전류분해능
1pA @100nA range
1fA 수준 @1nA range
전류측정정밀도
0.08% +500 pA @100nA range
0.1% +1.2pA + Vo ×E–15 @1nA range
표시전압분해능
100µV 수준 @40V range
1mV 수준 @3000V
전압측정정밀도
0.02% +12 mV@40V range
0.025% +600 mV @3000V
주요 용도
고전류 전력 반도체 (IGBT, MOSFET, LED, 배터리, 태양전지)
- 대전류 특성화 및 RDS(on) 측정
고전압 반도체 (GaN, SiC, 고전압 다이오드)
- 절연 내압 시험 및 누설 전류 측정
특징
병렬연결시±100A까지 확장 가능
- 펄스 전력 테스트 지원
- 고속 I-V 측정
초고전압 정밀 측정
- 절연 특성화 및 breakdown 시험
- 저전류 누설 측정에 특화 |