| 장비설명 |
-200kV 고가속 전압과 고휘도 전계방사형 전자총(X-FEG/X-CFEG)을 탑재하여 옹스트롬(Å) 단위의 초고해상도 TEM·STEM 이미징을 구현하며, 상전력 대물렌즈와 저이력 광학계를 통해 장시간 분석에서도 안정적이고 재현성 있는 원자 수준의 미세 구조 데이터 취득이 가능한 정밀 분석 장비
-4개의 대칭형 SDD 검출기로 구성된 Super-X G2 EDS 시스템으로 초당 최대 105개의 스펙트럼 수집이 가능하며, Velox 소프트웨어의 흡수 보정(Absorption correction) 기술을 통해 시편 방향에 무관하게 신호 간섭 없는 정밀 원소 정성·정량 분석 수행
-1,600만 화소의 Ceta CMOS 카메라와 Maps 소프트웨어 기반의 자동 타일링(Tiling)·스티칭 기능을 통해 넓은 영역을 원자 수준 해상도로 이미지화하고, 광역 원소 매핑과 결합한 고해상도 분석 지도를 빠르게 구축 가능
-3차원 EDS 토모그래피 및 인시투(in situ) 분석을 지원하여 나노 재료의 입체적 화학 정보 분석이 가능하며, 반도체·소재공학 분야는 물론 저선량(Low-dose) 기법을 활용한 생명과학 분야의 미세 구조 및 동적 반응 연구에도 폭넓게 활용 가능 |
| 구성 및 성능 |
Resolution
1) TEM information limit : 0.12nm
2) STEM resolution : 0.16nm
Electron Source
1) Gun type : high Stabilty FEG
2) Max beam current : 150 nA
3) Emission stabilty : 1% per hour
4) Spot drift : 1nm / minute
Acelerating voltage
1) Range : 200kV
2) Minimum kV increment Continuous
3) Voltage stabilty (DC-lOkHz) : 1 ppm / 10 min
Specimen Stage
1) Max. Eucentric tilt : +30° ~ -30°
2) Maximum goniometer (stage) tilt angle : ±90°
4x4 16M Camera
- Sensor: 4,096 x 4,096 CMOS
- Pixels: 14 x 14 µm2
- Digitization： 16 bit
- Binning: 1x, 2x, 4x, 8x
EDS Detectors
1) Resolution: ≤136 eV for Mn-Kα and 10 kcps
2) Detector : 2 Windows EDS system, 60mm2 active area with a solid angle of 0.9 srad
3) Detectable elements : Be(4) - U(92)
4) The peak to background ratio is 4,000:1 @ Ni-K peak, with our standard test sample.
5) In fast mapping mode, dwel times can be a short as 10 µs.
6) The hardware offers five different energy dispersions: 1, 2, 5, 10 & 20 eV/ch. They correspond with energy
ranges 4, 8, 20, 40 & 80 keV. The new pulse processor offers a choice between four different shaping times: 0.3, 1, 3 & 10 µs.
Acessory
1) Water chiller : 1 set
2) Oil free compressor : 1 set |